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Typical Characteristics
V GS
Top :
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
10
10
1
-7.0 V
1
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
150 ℃
10
10
0
0
25 ℃
※ Notes :
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
1. V DS = -50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
2.0
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1.5
V GS = - 10V
1
10
V GS = - 20V
1.0
0
0.5
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
1 0
20
3 0
40
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2400
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
2000
1600
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
※ Notes :
1. V GS = 0 V
10
8
V DS = -50V
V DS = -125V
V DS = -200V
1200
800
C oss
2. f = 1 MHz
6
4
C rss
400
2
※ Note : I D = -9.4 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP9P25 Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
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